內存種類知多少？一五一十告訴你吧！

　　一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)

　　RAM的特點是：電腦開機時，操作系統(tǒng)和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，并且隨時可以對存放在里面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放在里面的所有數據和程序都會自動清空掉，并且再也無法恢復。

　　根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：

　　01.DRAM（Dynamic RAM，動態(tài)隨機存取存儲器）：

　　這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。

　　02.SRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機存取存儲器）

　　靜態(tài)，指的是內存里面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機處理內存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。

　　03.VRAM（Video RAM，視頻內存）

　　它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負擔。它采用雙數據口設計，其中一個數據口是并行式的數據輸出入口，另一個是串行式的數據輸出口。多用于高級顯卡中的高檔內存。

　　04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態(tài)隨機存取存儲器）

　　改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發(fā)了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

　　05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態(tài)隨機存取存儲器）

　　這是繼FPM之后出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時間，然后才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用于中檔以下的Pentium主板標準內存，后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開始執(zhí)行。。

　　06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發(fā)式延伸數據輸出動態(tài)隨機存取存儲器）

　　這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出后，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

　　07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態(tài)隨機存取存儲器）

　　MoSys公司提出的一種內存規(guī)格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用于L2高速緩存中。

　　08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）

　　韓國Samsung公司開發(fā)的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（BitBlt），可應用于專業(yè)繪圖工作上。

　　09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態(tài)隨機存取存儲器）

　　Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存后內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。

　　10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態(tài)隨機存取存儲器）

　　這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都采用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。

　　11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）

　　SDRAM的改良版，它以區(qū)塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高于SDRAM。

　　12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器）

　　一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統(tǒng)同步，這就是SB SRAM產生的原因。

　　13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器）

　　CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。

　　14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）

　　作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定回路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。

　　15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環(huán)動態(tài)隨機存取存儲器）

　　16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態(tài)隨機存取存儲器）

　　這是三菱電氣公司首先研制的專利技術，它是在DRAM芯片的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統(tǒng)性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

　　17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器)

　　DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標準。DDRII的詳細規(guī)格目前尚未確定。

　　18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

　　是下一代的主流內存標準之一，由Rambus 公司所設計發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

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